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中国科学院微电子研究所专利:FLASH器件及其制造方法
NAND flash memories are popular due to their density and lower cost. However, due to serial access, NAND flash memories have low read and write speeds. As the flash sizes increase to 64GB and beyond, ...
介绍了高密度K9K8G08U0M NAND flash芯片的内部组成、引脚配置、各种读操作、页面编程、块擦除、写保护等操作时序和状态查询。提供了NAND flash存储器与其宿主控制器的标准接口逻辑。
该项目组成功开发出具有完全自主知识产权的1P/4M 0.18微米CMOS逻辑兼容嵌入式SONOS快闪存储器集成工艺,并开发出4M位SONOS存储器IP硬核验证芯片THESM040M。该IP核芯片具有多区块划分功能,电路面积为2.4×2.0mm^2,工作电源电压为1.8V/3.3V,读取速度<40ns,典型字节编程速度为8V/10ms,块擦除速度为8V/3ms,擦写疲劳可靠性>105擦写循环。该课题...
该项目主要研究内容为嵌入式Flash Memory IP软/硬核及其生成器技术。该项目已完成,现正在采用该技术设计开发军用密码ASIC电路,规模为7万门,内嵌 2K Flash Memory。技术完全成熟后,准备开发内含8K-64K的DSP、CPU及其他ASIC电路。该项目已获得了部分成果,有适合嵌入式0.5um Flash Cell结构设计、工艺流程、IP硬核与 Verilog描述,电泵电路设计...
针对嵌入式系统中大容量存储设备及其管理方面的需求,分析了传统的固定单元管理方式的弊端,提出了一种针对大容量Flash存储系统的灵活的管理方案。该方案通过实际访问量来动态地管理Flash,提高了操作效率,同时也减少了资源占用,保证了系统的性能。
Recently, a flash memory has become a major database storage in building portable information devices because of its non-volatile, shock-resistant, power-economic nature, and fast access time for read...

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